一、課題組簡(jiǎn)介

實(shí)驗(yàn)室簡(jiǎn)介：浙江大學(xué)杭州國(guó)際科創(chuàng)中心先進(jìn)半導(dǎo)體研究院半導(dǎo)體材料研究室專注于寬禁帶半導(dǎo)體材料相關(guān)的基礎(chǔ)研究，重點(diǎn)突破以碳化硅、氧化鎵和金剛石為代表的寬禁帶半導(dǎo)體的生長(zhǎng)、加工、外延及成套裝備，解決一系列寬禁帶半導(dǎo)體領(lǐng)域的“卡脖子”技術(shù)難題，推動(dòng)寬禁帶半導(dǎo)體材料的快速發(fā)展，提高我國(guó)在寬禁帶半導(dǎo)體領(lǐng)域的國(guó)際競(jìng)爭(zhēng)力和影響力。研究室以中科院院士楊德仁教授、皮孝東教授為學(xué)術(shù)帶頭人，已有成員50多人。擁有中國(guó)科學(xué)院院士1人、浙江大學(xué)和浙江大學(xué)杭州科創(chuàng)中心雙聘教授2人、科創(chuàng)百人5人、博士后和技術(shù)開發(fā)專家21人，工程師13人，博士占比54%。研究室成立至今在Advanced Functional Materials、Physical Review Applied、Applied Physics Letters、ACS Applied Materials and Interfaces、Journal of Materials Chemistry A、 Journal of Materials Chemistry C、Advanced Electronic Materialsl等國(guó)際期刊發(fā)表SCI論文40余篇，申請(qǐng)國(guó)家發(fā)明專利70余項(xiàng)，其中授權(quán)12項(xiàng)，申請(qǐng)實(shí)用新型專利30余項(xiàng)，其中授權(quán)17項(xiàng)。

主要負(fù)責(zé)人簡(jiǎn)介：韓學(xué)峰，求是科創(chuàng)學(xué)者（“科創(chuàng)百人計(jì)劃”研究員），浙江大學(xué)杭州國(guó)際科創(chuàng)中心先進(jìn)半導(dǎo)體研究院半導(dǎo)體材料研究室。2010年畢業(yè)于北京化工大學(xué)材料科學(xué)與工程學(xué)院并獲得學(xué)士學(xué)位，2016年2月于韓國(guó)首爾大學(xué)（SNU）獲得材料科學(xué)與工程博士學(xué)位，隨后在首爾大學(xué)新素材研究所（RIAM）展開博士后研究。2016年7月在日本九州大學(xué)應(yīng)用力學(xué)研究所從事博士后研究，師從國(guó)際知名晶體生長(zhǎng)學(xué)者Koichi Kakimoto教授。2020年受聘于法國(guó)原子能和替代能源委員會(huì)（CEA）,于法國(guó)格勒諾布爾阿爾卑斯大學(xué)（UGA）從事博士后研究，師從JCG編輯Thierry Duffar教授。 2021年加入浙江大學(xué)杭州國(guó)際科創(chuàng)中心。通過(guò)參與韓國(guó)，日本以及法國(guó)政府多項(xiàng)研究課題，參加晶體生長(zhǎng)相關(guān)國(guó)際學(xué)術(shù)會(huì)議14次，中、日、韓國(guó)內(nèi)學(xué)術(shù)會(huì)議二十余次。發(fā)表SCI論文18篇，其中第一作者及通訊作者10篇，長(zhǎng)期受邀擔(dān)任 《Journal of Crystal Growth》，《Japanese Journal of Applied Physics》，《Crystal Research and Technology》, 《Crystals》 等SCI期刊審稿人。

二、重點(diǎn)引進(jìn)方向:
寬禁帶半導(dǎo)體材料與設(shè)備模擬計(jì)算

方向1： 碳化硅單晶生長(zhǎng)過(guò)程計(jì)算

碳化硅生長(zhǎng)過(guò)程中熱場(chǎng)，電磁場(chǎng)，流場(chǎng)以及化學(xué)反應(yīng)的模擬計(jì)算；

方向2：碳化硅外延生長(zhǎng)過(guò)程計(jì)算

碳化硅外延生長(zhǎng)過(guò)程中流場(chǎng)、熱場(chǎng)，外延生長(zhǎng)速率及化學(xué)反應(yīng)的模擬計(jì)算；

方向3：碳化硅材料分子尺度計(jì)算（KMC, MD）

碳化硅晶體生長(zhǎng)過(guò)程中晶核分布和結(jié)晶方向等微觀尺度模擬計(jì)算。

三、申請(qǐng)條件
1. 具有相關(guān)學(xué)科背景，包括微集成電路、微電子、材料、物理、電子科學(xué)與技術(shù)等相關(guān)專業(yè)、從事過(guò)交叉學(xué)科研究者優(yōu)先考慮；
2. 近三年內(nèi)獲得博士學(xué)位，品學(xué)兼優(yōu)，身心健康，年齡原則上不超過(guò)35周歲；
3. 具有良好的團(tuán)隊(duì)合作意識(shí)和較強(qiáng)的獨(dú)立工作能力；
4. 具有良好的英語(yǔ)聽說(shuō)讀寫能力；

5. 保證全職從事博士后研究工作。

四、待遇及保障條件
1.根據(jù)科研工作能力提供具有競(jìng)爭(zhēng)力的薪酬（含地方政府人才補(bǔ)助），具體面議（應(yīng)屆博士畢業(yè)生另可獲得杭州市應(yīng)屆生生活補(bǔ)貼10萬(wàn)元）；

2.對(duì)獲得中國(guó)博士后科學(xué)基金資助和省級(jí)博士后科研項(xiàng)目資助的，杭州市、蕭山區(qū)分別給予相應(yīng)配套資助；

3.提供一流的實(shí)驗(yàn)與科學(xué)研究條件；

4.協(xié)助申請(qǐng)杭州市、蕭山區(qū)人才配套用房；

5.工作期間表現(xiàn)優(yōu)秀、業(yè)績(jī)突出者，如符合相應(yīng)要求，可優(yōu)先推薦申請(qǐng)科創(chuàng)中心“求是科創(chuàng)學(xué)者”崗位或技術(shù)開發(fā)崗位；

6.在站期間，符合條件者可申報(bào)科創(chuàng)中心相關(guān)系列高級(jí)專業(yè)技術(shù)職務(wù)；出站優(yōu)秀者入職科創(chuàng)中心的可認(rèn)定副研究員職稱，并可獲得地方政府80萬(wàn)人才補(bǔ)貼。

五、申請(qǐng)材料:
1.個(gè)人簡(jiǎn)歷；

2.表明研究能力和學(xué)術(shù)水平的成果（如：獲獎(jiǎng)情況、鑒定、項(xiàng)目、學(xué)術(shù)論文等）及佐證材料；

3.博士學(xué)位論文。

申請(qǐng)人將以上材料電子版發(fā)送至科創(chuàng)中心人力資源部郵箱：xuefenghan@zju.edu.cn，附件和郵件主題均以“韓學(xué)峰課題組+博士后+姓名 ”標(biāo)明。

六、聯(lián)系方式:

聯(lián)系人：劉老師

聯(lián)系電話：0571-82990656

地址：浙江省杭州市蕭山區(qū)建設(shè)三路733號(hào)

為防止簡(jiǎn)歷投遞丟失請(qǐng)抄送一份至：boshijob@126.com（郵件標(biāo)題格式：應(yīng)聘職位名稱+姓名+學(xué)歷+專業(yè)+中國(guó)博士人才網(wǎng)）