閩都創(chuàng)新實驗室（以下簡稱“實驗室”）于2019年9月獲福建省委省政府授牌成立，是福建省首批四家省級創(chuàng)新實驗室之一。實驗室由福州市人民政府牽頭，依托中國科學院福建物質結構研究所和福州大學建設。
實驗室圍繞光電信息科技與產業(yè)領域，布局戰(zhàn)略性先進光電材料、新型照明與顯示、高速通訊與感知等三大研究方向，實現(xiàn)光電信息產業(yè)核心技術自主可控，建成光電信息領域國際一流的創(chuàng)新創(chuàng)業(yè)創(chuàng)造高地和高層次人才培養(yǎng)基地，為推動高質量發(fā)展超越、促進光電信息產業(yè)集群跨越式發(fā)展和產業(yè)結構優(yōu)化升級提供強有力科技支撐。
任意晶向自支撐大尺寸多孔GaN單晶襯底制備與應用研發(fā)項目組致力于GaN單晶襯底研發(fā)，主要包括任意晶向自支撐多孔GaN單晶襯底及任意晶向自支撐大尺寸GaN單晶襯底的研發(fā)，同時進行GaN基器件的研發(fā)工作。根據工作需要，項目組擬招聘以下崗位：
一、招聘需求
| 崗位名稱 | 招聘人數 | 崗位職責 | 崗位要求 |
| 外延生長工程師 |
1 |
1、負責GaN晶體外延生長實驗，優(yōu)化生長工藝，包括GaN薄膜外延及體塊GaN單晶生長； |
1、 碩士及以上學歷，材料物理與化學等相關專業(yè)優(yōu)先； 2、具有GaN晶體生長相關工作經驗優(yōu)先； 3、熟悉常見的機械設計軟件，包括solidworks, CAD等； 4、熟悉使用CFD方法模擬計算流體力學問題者優(yōu)先； 5、英語閱讀和表達能力良好； 6、良好的協(xié)調溝通能力、邏輯思維能力，學習能力和時間觀念，較強的原則性、抗壓力及良好的職業(yè)道德。 |
1．薪酬待遇：執(zhí)行實驗室現(xiàn)有的具有市場競爭力的薪酬和績效標準。
2．人才政策：實驗室可協(xié)助申請各類人才配套待遇。符合實驗室高層次人才評定條件的，應聘時可按照有關規(guī)定申請高層次人才及配套待遇的認定。
3．職稱評定：根據相關政策規(guī)定申請職稱評定。
4．人才培養(yǎng)：實驗室堅持績效和目標導向，在職稱評定、學術交流與培訓、科研績效支出等方面向青年骨干人員傾斜，助力青年人才快速成長。
5．基本保障：按照福州市相關繳費比例繳納五險一金，享受國家規(guī)定的各類假期、帶薪年休假及年度體檢等福利待遇。
三、應聘流程
1．應聘申請材料：應聘申請表、身份證/護照、學歷/學位證書、學術成就目錄、獲獎證明、專利證書等復印件以及本人認為有必要提供的其他相關材料；
2．材料以“崗位名稱+姓名+項目名稱”命名發(fā)送至：Talents
fjoel.cn 3．招聘考核分為資格審查、專家面試、室務會審批等環(huán)節(jié)。對于通過資格審查的應聘者,由實驗室組織評審專家對應聘者進行面試。相關崗位未招滿前，崗位招聘啟事長期有效。應聘申請材料恕不退還，實驗室將予以嚴格保密。
四、聯(lián)系方式
1．聯(lián)系電話：+86-0591-63173852，13107686352 肖老師，林老師
2. 實驗室網址：http://fjoel.cn/
附件：應聘申請表
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http://fjoel.cn/rczp/shzp/202209/t20220915_715274.html
為防止簡歷投遞丟失請抄送一份至：boshijob@126.com（郵件標題格式：應聘職位名稱+姓名+學歷+專業(yè)+中國博士人才網）
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