一、研究所簡介

1956年，在新中國首個中長期科學技術(shù)發(fā)展的綱領(lǐng)性文件——《1956-1967年科學技術(shù)發(fā)展遠景規(guī)劃》中，半導體科學技術(shù)被確立為國家新技術(shù)發(fā)展的四大緊急措施之一。為奠定中國半導體科學技術(shù)研究的基石、構(gòu)建系統(tǒng)化的研發(fā)體系，我國于1960年9月在北京成立中國科學院半導體研究所(Institute of Semiconductors,CAS)，開啟了中國半導體科學技術(shù)的發(fā)展之路。

建所65年來，半導體研究所在我國半導體科技發(fā)展的各個歷史階段均做出了重大貢獻，取得了令人矚目的成就：中國第一根鍺單晶、硅單晶、砷化鎵單晶，第一只鍺晶體管、硅平面晶體管，第一塊集成電路，第一臺硅單晶爐、區(qū)熔爐等，均誕生于半導體研究所。研究所共獲得國家級獎勵近40項，黃昆院士榮獲2001年度國家最高科學技術(shù)獎。

半導體研究所作為集半導體物理、材料、器件研究及系統(tǒng)應(yīng)用為一體的國家級綜合性研究機構(gòu)，擁有兩個全國重點實驗室——光電子材料與器件全國重點實驗室、半導體芯片物理與技術(shù)全國重點實驗室；兩個國家級研究中心—國家光電子工藝中心、光電子器件國家工程研究中心；一個院級實驗室——中國科學院固態(tài)光電信息技術(shù)重點實驗室；還設(shè)有納米光電子實驗室、人工智能與高速電路實驗室、光電系統(tǒng)實驗室、全固態(tài)光源實驗室、寬禁帶半導體研發(fā)中心、光電子工程中心、半導體集成技術(shù)工程研究中心和元器件檢測中心。現(xiàn)有職工700余人，其中包括中國科學院院士8名，中國工程院院士1名，高層次引進人才計劃入選者53人，國家級領(lǐng)軍人才計劃入選者27人，國家級青年人才計劃入選者17人。研究所設(shè)有3個博士后流動站，擁有8個學術(shù)型學科專業(yè)博士和碩士培養(yǎng)點，以及2個專業(yè)學位領(lǐng)域培養(yǎng)點。作為中國科學院大學材料科學與光電技術(shù)學院的主辦單位，研究所主辦的“材料科學與工程”學科入選國家一流學科。

二、光電子材料與器件全國重點實驗室簡介

使命定位：面向光電子材料與器件前沿領(lǐng)域，聚焦異質(zhì)異構(gòu)集成、多維光電調(diào)控與多功能一體化等關(guān)鍵技術(shù)，開展前瞻性與原創(chuàng)性研究，構(gòu)建“產(chǎn)-學-研”融合科技攻關(guān)聯(lián)合體，滿足國家光通信領(lǐng)域?qū)Ω叨斯怆娮硬牧吓c器件的重大需求。

實驗室誠邀半導體科學與技術(shù)相關(guān)領(lǐng)域，包括半導體材料與器件、半導體光電子學、微電子學與固體電子學、物理電子學、集成電路科學與工程、光學工程、電路與系統(tǒng)、電子信息等學科方向的優(yōu)秀人才加入。

精通上述方向中一項者皆可加入，具有交叉科研背景優(yōu)先，以個人強項融入團隊研發(fā)，相互學習多學科最新技術(shù)，在項目中拓展個人研究領(lǐng)域與能力。

三、招聘崗位

（一）優(yōu)秀人才A類崗位

1．崗位要求

（1）原則上年齡不超過50周歲。

（2）海外申請人應(yīng)具有在海外知名科研機構(gòu)、高�；虼笮推髽I(yè)研發(fā)機構(gòu)等擔任教授或相當崗位的任職經(jīng)歷。特別優(yōu)秀或急需者，可放寬至副教授或相當崗位的任職經(jīng)歷。

國內(nèi)申請人應(yīng)具有在國內(nèi)知名科研機構(gòu)、高�；虼笮推髽I(yè)研發(fā)機構(gòu)等擔任三級（含）以上教授或相當崗位的任職經(jīng)歷，是國內(nèi)相關(guān)領(lǐng)域優(yōu)秀的學術(shù)技術(shù)帶頭人。

（3）引進后需全職到崗工作。

2．崗位待遇

（1）聘任為研究員（正高級編制崗位)、博士生導師。可加入建制化國家級研究團隊，或獨立設(shè)立課題組、研究所協(xié)助建立研究團隊。

（2）1000-1600萬元科研經(jīng)費。

（3）提供具有國際競爭力的薪酬待遇，年薪70萬元/年以上；

（4）除中國科學院200萬元生活補貼外，研究所提供租房補貼、特殊人才津貼、住房補貼等各項津補貼以及全方位的福利保障。

（5）其他支持：提供科研所需的辦公和實驗用房；享受人才長租房，提供直至退休的人才長租房政策；按照相關(guān)政策解決本人及配偶、子女在京落戶，及子女入托入學等。

（二）優(yōu)秀人才B類崗位

1．崗位要求

（1）原則上年齡不超過40周歲。

（2）海外申請人應(yīng)具有取得博士學位后在海外知名科研機構(gòu)、高校或大型企業(yè)研發(fā)機構(gòu)連續(xù)不少于3年（含）的科研工作經(jīng)歷（在海外取得博士學位且特別優(yōu)秀或急需者，海外工作年限可適當放寬）。通過國家或單位派出赴海外學習工作的，申請項目時應(yīng)妥善處理與原派出單位人事和經(jīng)濟關(guān)系。

國內(nèi)申請人（院外）應(yīng)具有取得博士學位后在知名科研機構(gòu)、高�；虼笮推髽I(yè)研發(fā)機構(gòu)不少于3年（含）的科研工作經(jīng)歷，或具有擔任副教授或相當崗位的任職經(jīng)歷。

本所特別研究助理申請人應(yīng)獲得過“特別研究助理資助項目”支持，并在我所具有不少于3年（含）的特別研究助理工作經(jīng)歷，且取得由院外單位頒發(fā)的博士研究生畢業(yè)證書和博士學位證書（不包含我院與院外單位聯(lián)合培養(yǎng)博士研究生）。

（3）引進后需全職到崗工作。

2．崗位待遇

通過研究所招聘后全職到崗的Ｂ類崗位備案人才，可享受如下待遇：

（1）聘為副高一級編制崗位，享受正高四級的崗位津貼。

（2）100萬元科研啟動經(jīng)費。

（3）提供有競爭力的薪酬待遇。

（4）其他支持：提供科研所需的辦公和實驗用房；享受人才長租房和租房補貼；按照相關(guān)政策解決本人及配偶、子女在京落戶，及子女入托入學等。

通過擇優(yōu)正式入選中國科學院相關(guān)人才計劃的Ｂ類崗位人才，可增加如下待遇：

（1）聘為研究員崗位（正高級編制崗位)，博士生導師，協(xié)助建立研究團隊。

（2）300-900萬元科研經(jīng)費（含項目評估優(yōu)秀追加200萬元）。

（3）提供有競爭力的薪酬，年薪40萬元/年以上。

（4）除中國科學院100萬元生活補貼外，研究所提供租房補貼、特殊人才津貼、住房補貼等各項津補貼以及全方位的福利保障。

（三）優(yōu)秀青年人才崗位

1．崗位要求

申請人需符合國家自然科學基金優(yōu)秀青年科學基金項目（海外）項目指南的要求：

（2）年齡在40歲以下；

（4）在取得博士學位后，一般應(yīng)在海外知名高校、科研機構(gòu)、企業(yè)研發(fā)機構(gòu)獲得正式教學或者科研職位，且具有連續(xù)36個月以上工作經(jīng)歷；在海外取得博士學位且業(yè)績特別突出的，可適當放寬工作年限要求，在海外工作期間，同時擁有境內(nèi)帶薪酬職位的申請人，其境內(nèi)帶薪酬職位的工作年限不計入海外工作年限；

（6）申請人尚未全職回國（來華）工作，或者回國（來華）工作不滿一年。獲資助通知后須辭去海外工作并全職回國（來華）工作不少于3年。

詳細申報條件請參見網(wǎng)址：

*國家自然科學基金優(yōu)秀青年科學基金項目（海外）項目指南

（1）聘任為研究員（正高級編制崗位)、博士生導師�？杉尤虢ㄖ苹瘒�家級研究團隊，或獨立設(shè)立課題組、研究所協(xié)助建立研究團隊。

（3）提供具有國際競爭力的薪酬待遇。

（5）其他支持：提供科研所需的辦公和實驗用房；享受人才長租房，提供直至退休的人才長租房政策；按照相關(guān)政策解決本人及配偶、子女在京落戶，及子女入托入學等。

四、申請程序

（二）通過答辯的申請人與半導體所簽訂工作意向協(xié)議書/聘用合同，依托半導體研究所申報中國科學院引才計劃，或者申報國家自然科學基金優(yōu)秀青年科學基金項目（海外）。

五、聯(lián)系方式

聯(lián)系人：光電子材料與器件全國重點實驗室辦公室 郵箱：oematdev@semi.ac.cn

為防止簡歷投遞丟失請抄送一份至：boshijob@126.com（郵件標題格式：應(yīng)聘職位名稱+姓名+學歷+專業(yè)+中國博士人才網(wǎng)）