中國科學(xué)院半導(dǎo)體研究所固態(tài)光電信息技術(shù)研究室H組致力于研究III-V組化合物半導(dǎo)體晶體材料的生長缺陷及表面處理，研制高性能紅外光電探測器及激光器用晶圓材料。根據(jù)工作需要，擬招聘研發(fā)人員1-2名，相關(guān)情況如下：
一、 工作方向：
半導(dǎo)體材料的晶體生長、化學(xué)腐蝕、表面處理及缺陷分析等相關(guān)研發(fā)工作
二、崗位
III-V族化合物半導(dǎo)體材料的物理化學(xué)性質(zhì)測試和相關(guān)工藝技術(shù)的研發(fā)工作
三、 人選要求：
（一）熱愛科研工作，踏實(shí)努力，具有責(zé)任心和團(tuán)隊(duì)合作精神；
（二）具有如下專業(yè)背景（任一）：半導(dǎo)體物理、半導(dǎo)體光電子學(xué)、材料物理與化學(xué)、材料學(xué)、半導(dǎo)體材料或相近專業(yè)的優(yōu)秀碩士畢業(yè)生或以上，博士優(yōu)先；
（三）優(yōu)先考慮具有如下至少一項(xiàng)研究背景與專長的申請者：
a)晶體材料生長技術(shù)：LEC、VGF等熔體法單晶生長技術(shù)；
b)半導(dǎo)體材料測試與表征技術(shù)：XRD、TEM、AFM、SIMS、RBS等；
c)半導(dǎo)體材料模擬；
d)半導(dǎo)體材料化學(xué)腐蝕及表面性質(zhì)研究；
（四）有在相關(guān)領(lǐng)域發(fā)表專業(yè)文章的經(jīng)歷；
（五）研究生優(yōu)先考慮有半導(dǎo)體化學(xué)、工藝制備、測試表征、超凈間工作經(jīng)驗(yàn)者。
四、相關(guān)待遇：
1. 按照中國科學(xué)院及半導(dǎo)體研究所的相關(guān)規(guī)定辦理五險一金，薪酬從優(yōu)，面談。
2. 北京戶口有望進(jìn)入編制。
3. 業(yè)績突出者將享有項(xiàng)目績效。
五、 應(yīng)聘方式：
（1）應(yīng)聘者需提交各人詳細(xì)履歷 和《崗位應(yīng)聘申請表》，電子郵件方式發(fā)送至shenguiying@semi.ac.cn；
（2）初選合格者將電話或E-mail通知本人參加面試；
六、聯(lián)系方式：
有意者請將個人簡歷及能夠體現(xiàn)個人能力的相關(guān)資料發(fā)送至:shenguiying@semi.ac.cn 電話：010-82304848
郵件主題中請注明“工程師崗位申請—XX（姓名）”，初選合格者將通知面試，未入選者恕不逐一回復(fù)。
注：團(tuán)隊(duì)歡迎在讀研究生來所聯(lián)合培養(yǎng)！
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