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中國(guó)科學(xué)院蘇州納米技術(shù)與納米仿生研究所(半導(dǎo)體顯示材料與芯片重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室)2025年招聘啟事

時(shí)間:2025-02-21來(lái)源:中國(guó)博士人才網(wǎng) 作者:佚名

依托中國(guó)科學(xué)院蘇州納米所組建的半導(dǎo)體顯示材料與芯片重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室2024年獲批成立,聚焦半導(dǎo)體顯示材料缺陷密度高、芯片能效低等基礎(chǔ)科學(xué)問(wèn)題,開(kāi)展關(guān)鍵材料、核心器件與集成芯片的創(chuàng)新研究,突破高質(zhì)量材料生長(zhǎng)與高性能芯片制備的關(guān)鍵技術(shù),集聚一支由戰(zhàn)略科學(xué)家、青年學(xué)術(shù)帶頭人等組成的科技創(chuàng)新隊(duì)伍,目標(biāo)產(chǎn)出一批原創(chuàng)性科技成果,推動(dòng)科技成果的轉(zhuǎn)移轉(zhuǎn)化,著力建設(shè)成半導(dǎo)體顯示材料與芯片領(lǐng)域創(chuàng)新高地。

一、重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室的主要研究方向

1. 高質(zhì)量半導(dǎo)體光電材料

(GaN等III族氮化物半導(dǎo)體材料、GaAs等III-V族化合物半導(dǎo)體材料外延生長(zhǎng)與測(cè)試表征)

2. 高能效紅綠藍(lán)微納光電器件

(GaN基、GaAs基化合物半導(dǎo)體光電器件制備,以及器件結(jié)溫與熱阻測(cè)試表征和散熱研究)

3. 半導(dǎo)體顯示多維度調(diào)制器件

(數(shù)字微鏡器件DMD、MEMS微振鏡、超表面光場(chǎng)調(diào)控、微納光柵、光波導(dǎo)、驅(qū)動(dòng)調(diào)制器件)

4. 高性能半導(dǎo)體顯示集成芯片

(激光顯示、Micro-LED大屏顯示及XR微顯示、全息顯示、透明/柔性顯示等新型顯示驅(qū)動(dòng)芯片及其集成微系統(tǒng))

二、招聘研究崗位

招聘崗位的研究方向:

III族氮化物半導(dǎo)體外延材料生長(zhǎng)及表征

Micro-LED器件制備

半導(dǎo)體(邊發(fā)射、面發(fā)射)激光器制備

半導(dǎo)體光電器件的熱管理

半導(dǎo)體激光器可靠性及失效分析

超表面與微納光柵

AR光波導(dǎo)

微納光學(xué)仿真

半導(dǎo)體顯示驅(qū)動(dòng)與集成技術(shù)

AI與半導(dǎo)體顯示融合

崗位1:副高及以上人才8-10人

根據(jù)研究所“高層次人才招聘啟事”,招聘電子信息領(lǐng)域的高層次研究人員,具體各級(jí)人才政策詳見(jiàn)研究所“高層次人才招聘啟事”(請(qǐng)點(diǎn)擊鏈接查看)。

1.崗位要求:

1) 理學(xué)或工學(xué)博士畢業(yè),具有電子信息、物理、光學(xué)、材料等相關(guān)專(zhuān)業(yè)背景;

2) 在國(guó)內(nèi)外著名高校、研究機(jī)構(gòu)有2年及以上的工作經(jīng)歷,有主持科研項(xiàng)目經(jīng)驗(yàn)者優(yōu)先;

3) 負(fù)責(zé)圍繞重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室主攻方向開(kāi)展有組織的基礎(chǔ)研究,組織推進(jìn)科研項(xiàng)目實(shí)施,并做出重要成果;

4) 具有獨(dú)立承擔(dān)科研工作的能力,具有較好的英文閱讀、寫(xiě)作能力,在本領(lǐng)域知名國(guó)際刊物上發(fā)表過(guò)學(xué)術(shù)論文;

5) 具有較好的學(xué)習(xí)能力和團(tuán)隊(duì)合作精神,具有較強(qiáng)的溝通協(xié)調(diào)和組織能力。

崗位2:博士后(特別研究助理)人才10-15名

1.崗位要求:

1) 申請(qǐng)人獲得博士學(xué)位3年以?xún)?nèi),具有電子信息、物理、光學(xué)、材料等相關(guān)專(zhuān)業(yè)背景,年齡一般不超過(guò)35周歲;

2) 能夠圍繞重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室主攻方向開(kāi)展有組織的基礎(chǔ)研究,能夠獨(dú)立從事相關(guān)科研實(shí)驗(yàn);

3) 具有良好的英文閱讀、寫(xiě)作能力;

4) 具有良好的學(xué)術(shù)道德,嚴(yán)謹(jǐn)?shù)目蒲凶黠L(fēng)和科學(xué)、求實(shí)、團(tuán)結(jié)、協(xié)作的精神。

2.固定薪酬:

博士后在站期間,固定薪酬28萬(wàn)起,特別優(yōu)秀者固定薪酬58萬(wàn)起,另加獎(jiǎng)勵(lì)績(jī)效。

3.可爭(zhēng)取的個(gè)人補(bǔ)貼: 

1) 入選江蘇省卓越博士后計(jì)劃,可獲得50萬(wàn)元/30萬(wàn)元/20萬(wàn)元人才津貼。

2) 入選博新計(jì)劃,可獲得32萬(wàn)元生活補(bǔ)貼。

3) 入選中國(guó)科學(xué)院特別研究助理資助項(xiàng)目或研究所“優(yōu)秀博士后計(jì)劃”,可獲得12萬(wàn)元人才津貼。

4) 獲得中國(guó)博士后科學(xué)基金面上資助和特別資助(項(xiàng)目經(jīng)費(fèi)8-18萬(wàn)元),分別給予2萬(wàn)元、5萬(wàn)元補(bǔ)貼。

4.待遇福利:

在站期間可參加副高級(jí)崗位晉升,通過(guò)評(píng)審可聘為副高級(jí)崗位(入編);可申請(qǐng)各類(lèi)科研項(xiàng)目;可獲得公派出國(guó)深造的機(jī)會(huì);同時(shí)享有人才優(yōu)購(gòu)(公積金貸款2-3倍)、協(xié)助子女入學(xué)等待遇;出站留蘇30萬(wàn)元安家補(bǔ)貼。

三、招聘支撐崗位

崗位1:化合物半導(dǎo)體材料外延生長(zhǎng)與測(cè)試表征工程師1-2名

崗位2:Micro-LED光電測(cè)試表征工程師1-2名

崗位3:半導(dǎo)體激光器結(jié)溫與熱阻測(cè)試表征工程師1-2名

崗位4:半導(dǎo)體激光器壽命測(cè)試與失效分析工程師1-2名

1.崗位要求:

1) 具有碩士學(xué)歷,或者具有本科學(xué)歷及4年以上半導(dǎo)體相關(guān)領(lǐng)域的工作經(jīng)歷;年齡一般不超過(guò)35周歲;

2) 具有半導(dǎo)體相關(guān)領(lǐng)域的研究或技術(shù)經(jīng)驗(yàn),和相應(yīng)崗位所需的技術(shù)能力;

3) 具有較強(qiáng)的團(tuán)隊(duì)合作意識(shí)、責(zé)任心和獨(dú)立開(kāi)展工作的能力;

4) 具有扎實(shí)的專(zhuān)業(yè)基礎(chǔ)知識(shí)和實(shí)驗(yàn)技能,良好的英語(yǔ)讀寫(xiě)能力;

5) 動(dòng)手能力強(qiáng),認(rèn)真細(xì)心,踏實(shí)肯干,善于溝通。

2.薪酬待遇:

1) 薪資:中國(guó)科學(xué)院蘇州納米所為國(guó)家級(jí)事業(yè)單位,根據(jù)崗位職級(jí)提供有競(jìng)爭(zhēng)力的薪酬待遇(工資+績(jī)效獎(jiǎng)勵(lì))。

2) 福利:享受五險(xiǎn)一金(含公積金)、午餐補(bǔ)貼、工會(huì)福利、職工體檢等。

四、應(yīng)聘方式

 請(qǐng)應(yīng)聘者將個(gè)人簡(jiǎn)歷及相關(guān)證明材料通過(guò)郵件,以“重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室+崗位+姓名”為主題發(fā)送至郵箱:xren2011@sinano.ac.cn。我們將以郵件或電話(huà)的方式通知通過(guò)初選的應(yīng)聘者參加線(xiàn)上面試和現(xiàn)場(chǎng)面試。聯(lián)系人:任老師,聯(lián)系電話(huà):0512-62872758。

【本招聘信息長(zhǎng)期有效】。
 

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為防止簡(jiǎn)歷投遞丟失請(qǐng)抄送一份至:boshijob@126.com(郵件標(biāo)題格式:應(yīng)聘職位名稱(chēng)+姓名+學(xué)歷+專(zhuān)業(yè)+中國(guó)博士人才網(wǎng))

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